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纪录 #00365科技档案

首次在商业晶圆厂安装高数值孔径EUV光刻机

英特尔于2024年在美国俄勒冈州希尔斯伯勒研发厂区完成业内首套商用高数值孔径EUV光刻系统安装。

核实状态
已核实查看核实说明 ↗
最后更新
2026-11-05
分类索引
科技

档案图示 / 01

非按比例绘制

达成时间

2024

2024年4月

完成者
英特尔首套商用High-NA EUV光刻系统
地点
美国俄勒冈州希尔斯伯勒英特尔Fab D1X研发晶圆厂 · 希尔斯伯勒(俄勒冈州)
纪录状态
已核实查看核实说明 ↗反馈问题
概述纪录历史相关纪录数据来源

概述

档案注记

ASML TWINSCAN EXE:5000采用0.55数值孔径,相比上一代0.33数值孔径EUV设备提升光学分辨能力。

英特尔在2024年4月宣布该设备已安装并进入校准阶段;ASML于2026年再次确认其行业首次地位。

基本信息

安装时间
2024年4月
设备
TWINSCAN EXE:5000
数值孔径
0.55
安装厂房
英特尔Fab D1X,希尔斯伯勒

纪录历史

1 个里程碑
  1. 2024年4月首次达成英特尔首套商用High-NA EUV光刻系统美国俄勒冈州希尔斯伯勒英特尔Fab D1X研发晶圆厂首次达成

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已核实

约2400 米

中国锦屏地下实验室

数据来源

证据与参考资料

核实依据与局限

已核实

纪录结论已有充分核实依据。

依据类别:权威机构直接确认

英特尔与ASML直接确认2024年首次安装商用High-NA EUV系统。

核实等级评审
2026-11-05
最后审核
2026-11-05

当前条目表示本档案所列的当前 Entry,不表示已证明其今天仍保持纪录。

来源编号资料名称发布机构链接
SRC-001Intel Corporation — Ronler Acres Campus官方EN纪录主题Oregon Department of Environmental QualitySRC-002With High NA EUV, Intel Foundry Opens New Frontier in Chipmaking官方EN当前纪录Intel NewsroomSRC-003Intel Foundry and ASML Collaborate官方EN当前纪录ASML

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